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內(nèi)部結構與工作過程
Mifare S50整個電路(除線圈外)都集成在一個芯片內(nèi),其內(nèi)部邏輯框圖如圖所示,芯片電路可以分為射頻接口電路和數(shù)字模塊。
射頻接口模塊由整流器、電壓調(diào)節(jié)器、上電復位(Power On Reset,POR)模塊、時鐘產(chǎn)生器、調(diào)制器以及解調(diào)器等部分組成,主要有以下功能。
3、Decrement:減少分組內(nèi)容,并將結果存入數(shù)據(jù)寄存器。
4、Increment:增加分組內(nèi)容,并將結果存入數(shù)據(jù)寄存器。
5、Transfer:將數(shù)據(jù)寄存器的內(nèi)容寫入EEPROM的一個分組。
6、Restore:將分組內(nèi)容存入數(shù)據(jù)寄存器。
存儲器組織與訪問控制
Mifare S50卡有8 KB的EEPROM,分成16個區(qū),每個區(qū)又分成4個分組(Block0~Block3),一個分組有16 B,其存儲結構組織如圖
(3)每個扇區(qū)的塊0、塊1、塊2為數(shù)據(jù)塊,用于存儲數(shù)據(jù),可以進行讀寫操作。
(4)每個區(qū)的塊3為控制塊,包括了密鑰A、訪問控制條件、密鑰B。具體結構如下:密鑰A有6字節(jié),訪問控制條件有4字節(jié),密鑰B有6字節(jié),其結果如圖5-17所示。由于每個區(qū)都有各自的密鑰和訪問條件,各區(qū)之間互不干擾,因此Mifare S50可作為多功能卡使用。
圖區(qū)尾部(塊3)的組成
每個區(qū)的密鑰和訪問控制條件相互獨立,可以根據(jù)實際需要設定各自的密鑰及訪問控制條件。每個塊(包括數(shù)據(jù)塊和控制塊)的存取條件是由密鑰和訪問控制條件共同決定的,訪問控制條件四個字節(jié)所表示的含義如表5-4所示(注:_b表示取反)
表訪問控制條件的定義
其中,在存取控制中每個塊都有相應的三個控制位,定義如下。
塊0: C10 C20 C30
塊1: C11 C21 C31
塊2: C12 C22 C32
塊3: C13 C23 C33
三個控制位以正、反兩種形式存在于表5-4所示訪問條件字節(jié)中,決定了該塊的訪問權限。三個控制位在存取控制字節(jié)中的位置如下(Byte 9為備用字節(jié),默認值為0x69)。
例如,上述存取控制字節(jié)為FF 07 80 69時,對應的每一位為表所示。
表存取控制位為FF 07 80 69對應的二進制碼
那么對應每個塊的存取控制位