在識(shí)別過(guò)程中,內(nèi)容既可以讀出又可以寫(xiě)人的電子標(biāo)簽,是可寫(xiě)人式電子標(biāo)簽。

     可與人式電子標(biāo)簽可以采用 SRAM或FRAM(Ferroelectric RAM)存儲(chǔ)器。SRAM定靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,SRAM不零要刷新電路就能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的效據(jù),因此 SRAM是一種高性能的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器 FRAM是一個(gè)非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,能提供與RAM一致的性能,但又有與 ROM一樣的非易失性。FRAM 非易失性是指記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失,非易失性記憶體是源自 ROM 的技術(shù)。FRAM將ROM 的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和 RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起,這就使得FRAM產(chǎn)品既可以進(jìn)行非易失性 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)又可以像RAM一樣操作。
    在可寫(xiě)入式電子標(biāo)簽工作時(shí),讀寫(xiě)器可以將數(shù)據(jù)寫(xiě)人電子標(biāo)簽。對(duì)電子標(biāo)簽的寫(xiě)入與讀出大多是按字組進(jìn)行的,字組通常是規(guī)定數(shù)目的字節(jié)的匯總,字組一般作為整體讀出或?qū)懭?。為了?/span>改一個(gè)數(shù)據(jù)塊的內(nèi)容,必須從讀寫(xiě)器整體讀出這個(gè)數(shù)據(jù)塊,對(duì)其修改,然后再重新整體將數(shù)據(jù)塊寫(xiě)入。
    可寫(xiě)人式電子標(biāo)簽的存儲(chǔ)量,最少可以是1B,最高可達(dá)64KB。比較典型的電子標(biāo)簽是16位、幾十到幾百字節(jié)。