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在識別過程中,內(nèi)容既可以讀出又可以寫人的電子標(biāo)簽,是可寫人式電子標(biāo)簽。
可與人式電子標(biāo)簽可以采用 SRAM或FRAM(Ferroelectric RAM)存儲(chǔ)器。SRAM定靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,SRAM不零要刷新電路就能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的效據(jù),因此 SRAM是一種高性能的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器 FRAM是一個(gè)非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,能提供與RAM一致的性能,但又有與 ROM一樣的非易失性。FRAM 非易失性是指記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失,非易失性記憶體是源自 ROM 的技術(shù)。FRAM將ROM 的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和 RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起,這就使得FRAM產(chǎn)品既可以進(jìn)行非易失性 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)又可以像RAM一樣操作。
在可寫入式電子標(biāo)簽工作時(shí),讀寫器可以將數(shù)據(jù)寫人電子標(biāo)簽。對電子標(biāo)簽的寫入與讀出大多是按字組進(jìn)行的,字組通常是規(guī)定數(shù)目的字節(jié)的匯總,字組一般作為整體讀出或?qū)懭?。為了?/span>改一個(gè)數(shù)據(jù)塊的內(nèi)容,必須從讀寫器整體讀出這個(gè)數(shù)據(jù)塊,對其修改,然后再重新整體將數(shù)據(jù)塊寫入。
可寫人式電子標(biāo)簽的存儲(chǔ)量,最少可以是1B,最高可達(dá)64KB。比較典型的電子標(biāo)簽是16位、幾十到幾百字節(jié)。