RFID 負(fù)載調(diào)制技術(shù)
    在RFID系統(tǒng)中, 電子標(biāo)簽向讀寫器的信息傳輸采用負(fù)載調(diào)制技術(shù)。負(fù)載調(diào)制通過對(duì)電子標(biāo)簽振蕩回路的電參數(shù)按照數(shù)據(jù)流的節(jié)拍進(jìn)行調(diào)節(jié), 使電子標(biāo)簽阻抗的大小和相位隨之改變, 從面完成調(diào)制的過程。負(fù)載調(diào)制技術(shù)主要有電阻負(fù)載調(diào)制和電容負(fù)載調(diào)制兩種方式。
1. 電阻負(fù)載調(diào)制
    在電阻負(fù)載調(diào)制中, 負(fù)載R, 并聯(lián)一個(gè)電阻Rm. d. R. 稱為負(fù)載調(diào)制電阻, 該電阻按數(shù)據(jù)流的 時(shí)鐘接通和斷開, 開關(guān)S的通斷由二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼控制。
電阻負(fù)載調(diào)制的特性如下。
(1)當(dāng)二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼為“1”時(shí), 開關(guān)S接通, 電子標(biāo)簽的負(fù)載電阻為R。d和R:的并聯(lián); 當(dāng)二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼為“0”時(shí), 開關(guān)S斷開, 電子標(biāo)簽的負(fù)載電阻為RL。這說明, 開關(guān)S接通時(shí), 電子標(biāo)簽的負(fù)載電阻比較小。
(2)對(duì)于并聯(lián)諧振, 如果并聯(lián)電阻比較小, 將降低品質(zhì)因數(shù)。也就是說, 當(dāng)電子標(biāo)簽的負(fù)載電阻比較小時(shí), 品質(zhì)因數(shù)Q值將降低, 這將使諧振回路兩端的電壓下降。
(3)上述分析說明, 開關(guān)S接通或斷開, 會(huì)使電子標(biāo)簽諧振回路兩端的電壓發(fā)生變化。為了恢復(fù)(解調(diào))電子標(biāo)簽發(fā)送的數(shù)據(jù), 上述變化應(yīng)該輸送到讀寫器。
(4)當(dāng)電子標(biāo)簽諧振回路兩端的電壓發(fā)生變化時(shí), 由于線圈電感耦合, 這種變化會(huì)傳遞給讀寫器, 表現(xiàn)為讀寫器線圈兩端電壓的振幅發(fā)生變化, 因此產(chǎn)生對(duì)讀寫器電壓的調(diào)幅。
(5)電阻負(fù)載調(diào)制的波形變化過程如圖 4. 15 所示。圖4. 15(a)所示為電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)的二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼, 圖4. 15(b)所示為電子標(biāo)簽線圈兩端的電壓。

2. 電容負(fù)載調(diào)制
    在電容負(fù)載調(diào)制中, 負(fù)載R并聯(lián)一個(gè)電容 Cmod, Cmod取代了由二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼控制的負(fù)載調(diào)制電阻 Rmod。
電容負(fù)載調(diào)制的特性如下。
(1)在電阻負(fù)載調(diào)制中, 讀寫器和電子標(biāo)簽在工作頻率下都處于諧振狀態(tài); 而在電容負(fù)載調(diào)寫器也失諧。由于接人了電容Cmod, 電子標(biāo)簽回路失諧, 又由于讀寫器與電子標(biāo)簽的耦合作用, 導(dǎo)致讀頻率之間轉(zhuǎn)換。
(2)開關(guān)S的通斷控制電容Cmod按數(shù)據(jù)流的時(shí)鐘接通和斷開, 使電子標(biāo)簽的諧振頻率在兩個(gè)
(3)通過定性分析可以知道, 電容Cmod的接入使電子標(biāo)簽電感線圈上的電壓下降。

(4)由于電子標(biāo)簽電感線圈上的電壓下降, 使讀寫器電感線圈上的電壓上升。
(5)電容負(fù)載調(diào)制的波形變化, 與電阻負(fù)載調(diào)制的波形變化相似, 但此時(shí)讀寫器電感線圈上
電壓不僅發(fā)生振幅的變化, 也發(fā)生相位的變化, 應(yīng)盡量縮小相位變化。